檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "GaN".ekeyword (精準) and year="105"
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在RF射頻收發機中，頻率合成器的特性非常重要，內部包含了相位偵測器(PFD)、充電幫浦(CP)、迴路濾波器(LF)、壓控振盪器(VCO)、除頻器(FD)，而這其中又以壓控振盪器和注入鎖定除頻器特性為…
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近年來，氮化鎵(GaN)以被廣泛研究，跟矽比起來有優良的材料特性。此外，在氮化鎵鋁(AlGaN)與氮化鎵的異質接面處發現了高密度的電子，研究其原因是由於自發性極化效應(Spontaneous Pol…
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本論文我們製作了近紫外光p-i-n偵測器與異質接面光電晶體(Heterojunction phototransistors, HPTs)。兩種光偵測器都是設計了兩種形狀，有方型與長型。異質接面光電晶…
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本論文以RF反應式濺鍍法製備施體-受體共摻雜n型或p型的ZnSnGaN薄膜，並探討不同摻雜比例、濺鍍功率與沉積溫度對於薄膜品質、電性及光學性質之影響。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD…
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本篇論文呈現了氮化鋁緩衝層結構之於石墨烯/藍寶石基板上製備高品質氮化鎵薄膜的重要性。本文使用低壓化學氣相沉積法（LPCVD）在在藍寶石基板上成長石墨烯。首先會在兩吋藍寶石基板上蒸鍍一層銅膜以便於獲取…
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本論文主要研製一種混合切換主動箝位返馳式轉換器，所提出混合切換技術可增加功率開關之零電壓切換範圍。本文將氮化鎵高電子遷移率電晶體使用在混合切換主動箝位返馳式轉換器中，藉以提高切換頻率，降低功率損耗。…